Yazar "Emir, Recep" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 4 / 4
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe DC-DC Buck Converter Using DTMOS Technique for Ultra Low Voltage Applications(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2023) Emir, Recep; Tekin, Sezai AlperDC-DC buck converter circuit using Dynamic Threshold-Voltage MOSFET (DTMOS) technique for ultra low voltage applications is presented. There are two main purposes of the proposed structure. First, to achieve supply voltage less than diode voltage for ultra low voltage applications. Second, to increase efficiency through using DTMOS technique, without using MOS transistor and diode. At 1.3V input, the proposed converter provides 7.3% more efficiency when compared to the conventional DC-DC buck converter. The theoretical results have been confirmed by PSPICE using CMOS process technology. The obtained results show that DTMOS technique is an effective way for power converter designs and ultra low voltage and energy efficient applications. © 2023 IEEE.Öğe Dtmos tekniği kullanarak düşük güçlü ve gerilimli Cmos-değil lojik kapı tasarımı(2018) Emir, Recep; Conger, SenemBu çalışmada, Dynamic Threshold-voltage MOSFET (DTMOS) tekniğini kullanarak aşırı düşük besleme gerilimli ve enerji verimli ÖZEL-VEYA lojik kapıları önerilmektedir. Birçok alanda tasarım tekniği olarak kullanılan ancak lojik kapı devresi tasarımında yeterince uygulanmamış DTMOS tekniği tasarım yöntemi olarak bu çalışmada kullanılmaktadır. Önerilen lojik kapıların amacı transistör kanal parametrelerini değiştirmeden DTMOS tekniğini kullanarak besleme gerilimini ve harcanan gücü azaltmaktır. 0.2V besleme geriliminde ve 1GHz çalışma frekansında incelenen üç farklı ÖZEL-VEYA lojik kapısı arasında DTMOS transistörlü tasarımlarda güç tüketimi en düşük 0.228nW değerindedir. Üç lojik kapıda da DTMOS tekniği %97 oranında enerji verimliliği sağlamaktadır. Teorik sonuçlar CMOS 65nm teknolojisini kullanan HSPICE programında doğrulanmıştır. Elde edilen sonuçlar düşük gerilim ve enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda DTMOS tekniğinin etkili bir yöntem olduğunu göstermektedir.,n this paper, ultra low supply voltage and energy efficient XOR logic gate circuits are proposed using Dynamic Thresholdvoltage MOSFET (DTMOS) technique. DTMOS technique, which has not yet been implemented in logic gate circuit design, is used as a technical design method in this work. The purpose of proposed logic gates is to reduce supply voltage and power dissipation by using DTMOS technique, without changing transistor channel parameters. At 0.2V supply voltage and 1GHz operation frequency, the lowest power dissipation is 0.228nW in the three different XOR logic gates examined. DTMOS technique in all three logic gates provides 97% energy efficiency. Theoretical results are confirmed by HSPICE using CMOS 65nm technology. The results obtained show that DTMOS technique is an effective way for low voltage and energy efficient applications.Öğe DTMOS tekniğini kullanarak 0.2V besleme gerilimli ve %97 enerji verimli özel-veya lojik kapı tasarımları(2022) Emir, Recep; Ekrikaya, Semiha; Demirbuğa, Sezer; Avcı, BurhanettinBu çalışmada, Dynamic Threshold-voltage MOSFET (DTMOS) tekniğini kullanarak aşırı düşük besleme gerilimli ve enerji verimli ÖZEL-VEYA lojik kapıları önerilmektedir. Birçok alanda tasarım tekniği olarak kullanılan ancak lojik kapı devresi tasarımında yeterince uygulanmamış DTMOS tekniği tasarım yöntemi olarak bu çalışmada kullanılmaktadır. Önerilen lojik kapıların amacı transistör kanal parametrelerini değiştirmeden DTMOS tekniğini kullanarak besleme gerilimini ve harcanan gücü azaltmaktır. 0.2V besleme geriliminde ve 1GHz çalışma frekansında incelenen üç farklı ÖZEL-VEYA lojik kapısı arasında DTMOS transistörlü tasarımlarda güç tüketimi en düşük 0.228nW değerindedir. Üç lojik kapıda da DTMOS tekniği %97 oranında enerji verimliliği sağlamaktadır. Teorik sonuçlar CMOS 65nm teknolojisini kullanan HSPICE programında doğrulanmıştır. Elde edilen sonuçlar düşük gerilim ve enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda DTMOS tekniğinin etkili bir yöntem olduğunu göstermektedir.Öğe Düşük Güçlü ve Yüksek Hızlı MOS Transistörlü Temel Lojik Kapılar(Erciyes Üniversitesi, 2023) Emir, Recep; Tekin, Sezai AlperBu çalışmada, düşük gerilimli, düşük güçlü, yüksek hızlı ve tam salınımlı, 1GHz çalışma frekansında 1V MOS transistörlü temel lojik kapılar incelenmiştir. Bu çalışmanın temel amacı lojik kapı ve devre tasarımları araştırma alanı ile ilgili temel fikirleri edinmek ve yeni tasarım metotları için temel oluşturmaktır. Diğer bir amaç ise MOS transistörlü ve tam salınımlı lojik kapıların düşük gerilim ve yüksek hız şartlarında gerçekleştirilebileceğini göstermektir. Ek olarak, MOS transistörlü tam salınımlı olmayan lojik kapılar ve bunların nasıl tam salınımlı yapılacağı incelenmiştir. İncelenen yapıların simülasyon dalga şekilleri ve nümerik sonuçları, MOS transistörlü temel lojik kapıların 1V besleme gerilimi ve 1GHz çalışma frekansı seviyelerinde elde edilebildiğini göstermektedir. Teorik sonuçlar 65nm CMOS üretim teknolojisini kullanan HSPICE programında doğrulanmıştır.
