Düşük Güçlü ve Yüksek Hızlı MOS Transistörlü Temel Lojik Kapılar
[ X ]
Tarih
2023
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erciyes Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, düşük gerilimli, düşük güçlü, yüksek hızlı ve tam salınımlı, 1GHz çalışma frekansında 1V MOS transistörlü temel lojik kapılar incelenmiştir. Bu çalışmanın temel amacı lojik kapı ve devre tasarımları araştırma alanı ile ilgili temel fikirleri edinmek ve yeni tasarım metotları için temel oluşturmaktır. Diğer bir amaç ise MOS transistörlü ve tam salınımlı lojik kapıların düşük gerilim ve yüksek hız şartlarında gerçekleştirilebileceğini göstermektir. Ek olarak, MOS transistörlü tam salınımlı olmayan lojik kapılar ve bunların nasıl tam salınımlı yapılacağı incelenmiştir. İncelenen yapıların simülasyon dalga şekilleri ve nümerik sonuçları, MOS transistörlü temel lojik kapıların 1V besleme gerilimi ve 1GHz çalışma frekansı seviyelerinde elde edilebildiğini göstermektedir. Teorik sonuçlar 65nm CMOS üretim teknolojisini kullanan HSPICE programında doğrulanmıştır.
In this paper, low voltage, low power, high speed and full swing, 1V MOS transistor based fundamental logic gates at 1GHz operation frequency are examined. The main purpose of this work is to comprehend basic ideas related to logic gate and circuit designs research field and lay the foundation for novel design methods. The other purpose is to show that these MOS based full swing logic gates could be performed under low voltage and high speed conditions. Furthormore, MOS based non-full swing logic gates are also examined and how to do them full swing. Vaweforms and numerical results of examined structure's simulations show that MOS based fundamental logic gates could be acquired at 1V supply voltage and 1GHz operation frequency levels. Theoretical results have been confirmed by HSPICE using 65nm CMOS process technology.
In this paper, low voltage, low power, high speed and full swing, 1V MOS transistor based fundamental logic gates at 1GHz operation frequency are examined. The main purpose of this work is to comprehend basic ideas related to logic gate and circuit designs research field and lay the foundation for novel design methods. The other purpose is to show that these MOS based full swing logic gates could be performed under low voltage and high speed conditions. Furthormore, MOS based non-full swing logic gates are also examined and how to do them full swing. Vaweforms and numerical results of examined structure's simulations show that MOS based fundamental logic gates could be acquired at 1V supply voltage and 1GHz operation frequency levels. Theoretical results have been confirmed by HSPICE using 65nm CMOS process technology.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Düşük gerilim, Düşük güç, Yüksek hız, Lojik kapı, MOS, Low voltage, Low power, High speed, Logic gate, MOS
Kaynak
Erciyes Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fen Bilimleri Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
39
Sayı
1
