Düşük Güçlü ve Yüksek Hızlı MOS Transistörlü Temel Lojik Kapılar

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorEmir, Recep
dc.contributor.authorTekin, Sezai Alper
dc.date.accessioned2025-02-24T16:23:57Z
dc.date.available2025-02-24T16:23:57Z
dc.date.issued2023
dc.departmentNuh Naci Yazgan
dc.description.abstractBu çalışmada, düşük gerilimli, düşük güçlü, yüksek hızlı ve tam salınımlı, 1GHz çalışma frekansında 1V MOS transistörlü temel lojik kapılar incelenmiştir. Bu çalışmanın temel amacı lojik kapı ve devre tasarımları araştırma alanı ile ilgili temel fikirleri edinmek ve yeni tasarım metotları için temel oluşturmaktır. Diğer bir amaç ise MOS transistörlü ve tam salınımlı lojik kapıların düşük gerilim ve yüksek hız şartlarında gerçekleştirilebileceğini göstermektir. Ek olarak, MOS transistörlü tam salınımlı olmayan lojik kapılar ve bunların nasıl tam salınımlı yapılacağı incelenmiştir. İncelenen yapıların simülasyon dalga şekilleri ve nümerik sonuçları, MOS transistörlü temel lojik kapıların 1V besleme gerilimi ve 1GHz çalışma frekansı seviyelerinde elde edilebildiğini göstermektedir. Teorik sonuçlar 65nm CMOS üretim teknolojisini kullanan HSPICE programında doğrulanmıştır.
dc.description.abstractIn this paper, low voltage, low power, high speed and full swing, 1V MOS transistor based fundamental logic gates at 1GHz operation frequency are examined. The main purpose of this work is to comprehend basic ideas related to logic gate and circuit designs research field and lay the foundation for novel design methods. The other purpose is to show that these MOS based full swing logic gates could be performed under low voltage and high speed conditions. Furthormore, MOS based non-full swing logic gates are also examined and how to do them full swing. Vaweforms and numerical results of examined structure's simulations show that MOS based fundamental logic gates could be acquired at 1V supply voltage and 1GHz operation frequency levels. Theoretical results have been confirmed by HSPICE using 65nm CMOS process technology.
dc.identifier.endpage131
dc.identifier.issn1012-2354
dc.identifier.issue1
dc.identifier.startpage126
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14440/310
dc.identifier.volume39
dc.language.isotr
dc.publisherErciyes Üniversitesi
dc.relation.ispartofErciyes Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fen Bilimleri Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_DergiPark_20250457
dc.subjectDüşük gerilim
dc.subjectDüşük güç
dc.subjectYüksek hız
dc.subjectLojik kapı
dc.subjectMOS
dc.subjectLow voltage
dc.subjectLow power
dc.subjectHigh speed
dc.subjectLogic gate
dc.subjectMOS
dc.titleDüşük Güçlü ve Yüksek Hızlı MOS Transistörlü Temel Lojik Kapılar
dc.title.alternativeMOS Transistor Based Low Power and High Speed Fundamental Logic Gates
dc.typeArticle

Dosyalar

Koleksiyon

DergiPark Koleksiyonu